铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”的流片，该芯片基于1TnR技术路线。芯片采用28nm CMOS工艺平台和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，密度30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。 目前“泰山一号”已完成流片，正在推进验证，实际性能尚未经测试确认。
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铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于 1TnR 技术路线的首代高密度、大容量 RRAM 芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片。该芯片采用 28nm CMOS 工艺平台和 1T4R 单元结构，单芯片容量 1Gb，密度 30Mb/mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路。目前芯片已完成流片，正在推进验证。
还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。